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SiC의 열분해로 만들어진 그래핀의 ....

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미국과 한국 연구진은 SiC의 열분해를 이용해서 에피택셜 그래핀을 만들었고, 이것의 캐리어 이동도를 평가했다. 이 방법은 대면적 그래핀을 성장할 수 있게 한다. 과학자들은 테스트 트랜지스터 구조를 만들기 위해서 Si 및 C 기반의 물질로 성장된 그래핀을 조사했다. 샘플은 HfO2 유전체 층에 의해 직접적으로 코팅되거나 그래핀 층과 유전체 박막 간의 계면 효과를 줄이기 위해서 HfO2 증착에 앞서 PVA로 코팅되었다. 

비-극성 그래핀과의 계면에서 극성 HfO2와 비극성 반족(C-H 결합)과 결합할 수 있는 극성 반족(C-O 결합)을 포함하고 있기 때문에 PVA는 버퍼 층으로서 선택되었다. 또한 선형 PVA 사슬은 HfO2가 집단적으로 C-O 결합을 가능하게 하면서 C-H 결합으로 그래핀을 유도한다. 마지막으로, PVA 속의 산소 원자들은 계면의 Hf 원자와 결합할 수 있는데, 이것은 HfO2 벌크 속의 Hf 원자의 결합 구조와 닮았다. 

각각의 경우에서, Si-면과 C-면의 그래핀 이동도는 PVA/HfO2 유전체와 결합한 후에 증가하였다. Si-면의 그래핀 이동도(~90%)는 C-면의 그래핀(~20%)의 것보다 훨씬 더 증가했다. 연구진은 이런 이동도 개선이 Hf 센터(center)를 화학적으로 부동태화함으로써 HfO2-PVA 계면에서 무작위적인 요동이 제거된다고 추측했다. 

코넬 대학(Cornell University), 위스콘신-스티븐스 포인트 대학(University of Wisconsin-Stevens Point), 한양 대학교의 연구진은 이번 연구에서 SiC에 대한 에피택셜 그래핀의 성장과 특성 평가를 수행했다. 폴리비닐 알코올(PVA)과 에피택셜 그래핀을 기반으로 하는 SiC의 성질에 대한 HfO2 유전체 박막의 처리 효과는 조사되고 분석되었다. 연구진은 장치의 활성층 위에 초기 PVA 처리의 유무에 따라 HfO2 층과 Si-면 및 C-면의 SiC 위의 그래핀의 캐리어 이동도를 평가했다. C-면 위에서 성장된 에피택셜 그래핀은 실리콘 면 위에서 성장된 박막보다 더 높은 이동도를 가졌다. 또한 HfO2 유전체 층을 가진 PVA 처리에 따른 이동도는 게이트 유전체의 증착 후의 이동도와 비교할 때 향상되었다: C-면 그래핀일 경우는 ~20%이고 Si-면의 그래핀일 경우는 ~90%였다. 이것은 유전체/그래핀 시스템에서 일반적으로 관찰되는 저하 현상을 크게 향상시켰다. 

이 연구는 공군의 MURI 프로그램과 NSF의 자금을 지원받았다. 연구진은 비휘발성 메모리, 기계적 스위칭 장치, 플렉서블 전자장치, 탄소 기반 장치와 같은 나노크기 전자장치에 대한 연구를 수행하고 있다. 연구진은 현재 BN과 MoS2와 같은 그래핀과 다른 2차원 재료 시스템을 활발하게 조사하고 있고, 대면적 기질 위에 고속 그래핀 장치를 제조할 수 있는 방법을 조사하고 있다. 이 연구결과는 저널 Nanotechnology에 “Improvement of carrier mobility of top-gated SiC epitaxial graphene transistors using a PVA dielectric buffer layer”라는 제목으로 게재되었다(doi:10.1088/0957-4484/23/33/335202). 
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