HOME > Community > Gallery

삼성, 1,000배 빠른 속도의 ‘MRAM’ ....

목록
글쓴이 최고관리자 등록일 17-05-08 21:42
조회 358

    삼성이 현재 널리 사용되고 있는 전기 충전 방식으로 데이터를 읽고 쓰는 DRAM보다 1,000배 빠른 읽기, 쓰기 속도를 낼 수 있는 MRAM(Magnetic Random Access Memory)을 다음 달 24일 캘리포니아에서 개최되는 파운드리 포럼에서 공개한다.

    MRAM는 자기 저항 효과를 이용해 데이터를 읽고 쓰는 방식이다. 활성화 상태에서는 전력 소모가 적고 비활성화 상태에서는 전력 소모가 제로가 된다. 훨씬 작은 크기로 모바일 기기, IoT(사물인터넷) 기기에 최적화된 메모리다.

    작고 전력 소모가 적은 MRAM이 스마트폰, 태블릿에 탑재된다면 성능은 끌어올리고 사용 시간은 늘어나게 된다. 문제는 아직 수율이 부족하다는 점이다. 수율이 충분히 확보되기 전까지는 일부 IoT 기기에 우선적으로 사용될 것으로 보인다. 다행스러운 것은 삼성이 대량 양산을 위해 속도를 내고 있다는 점이다. 경쟁 업체인 SK하이닉스도 MRAM 개발에 집중하고 있고 도시바 메모리 인수에도 열을 올리고 있다. 가능성은 크지 않지만 도시바 메모리를 인수하게 될 경우 빠르게 삼성을 추격할 수도 있다. 이 때문에 대량 양산으로 시장을 선점하기 위해 노력 중이다. 충분한 수준의 대량 생산이 가능해진다면 스마트폰, 태블릿 기기 성능의 한 단계 진화한 모습을 볼 수 있을 것으로 기대된다.

    Comments