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초 저전력 전자 소자

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실리콘 기반의 트랜지스터는 나노크기로 줄어듦에 따라서 누설전류는 더 이상 간과하기 힘든 매우 큰 문제가 되고 있다. 또한 대용량 슈퍼 컴퓨터의 전력 소비는 점점 더 중요한 문제로 떠오르고 있다. 이러한 실리콘 기반 전자소자는 데이터를 유지하고 또한 동작하는 과정에 지속적으로 에너지를 소비한다. 이번에 이러한 문제를 해결할 수 있는 새로운 기술이 소개되었다. 

전계효과 트랜지스터가 동작하는 동안에는 전하 캐리어를 방출하는 최소한의 에너지는 지속적으로 요구된다. 이러한 작동 원리는 컴퓨터 소자의 전력 소비를 줄이는 데 걸림돌로 작용하고 있다. 이번에 이러한 문제를 해결할 수 있는 새로운 연구결과가 저널 나노테크놀로지에 소개되었다. 연구진 피에조전자 트랜지스터(PET)를 통해서 이러한 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 방안을 제시했다. 피에조전자 트랜지스터는 전기 신호를 기계적 신호, 즉 음파로 전달하고 다시 피드백 받는 에너지 변환 과정을 통해서 종래의 트랜지스터의 이론적 한계를 극복할 수 있게 되었다. 이론적으로 이러한 소자는 약 기존의 실리콘 기반 트랜지스터에 대비해 에너지 소비량이 50분의 1 이하로 줄어들 것으로 예상된다. 

피에조전자 트랜지스터는 기계적으로 결합된 구조를 띠지만 전기적으로 액추에이터와 스위치로 분리된다. 피에조전기 액추에이터의 전기적 자극에 대한 팽창은 피에조저항 요소를 수축시킨다. 이러한 효과는 절연체를 전도체로 변환시키는 효과를 가져다 준다. 2012년 이와 관련한 이론적인 개념이 소개되었다. 이러한 개념적인 소자는 최근 IBM 왓슨 연구소(IBM T.J. Watson Research Center)의 연구진에 의해서 현실화될 수 있게 되었다. 이번 연구는 미 국방 첨단과학기술연구소(Defense Advanced Research Projects Agency)의 재정적 지원으로 수행되었다. 

단결정 집적 피에조전자 트랜지스터를 만들기 위해서는 여러 제조 공정 상의 어려움을 해결해야만 한다. 특별히 줄이기 쉬운 피에조전기와 강하게 줄어드는 피에조저항 물질의 사이의 비호환성 등을 포함한 여러 문제들이 있다. 단일 소자로 작동 가능한 트랜지스터를 만들기 위해서는 액추에이터와 스위치를 모두 가지고 있는 미세구조의 견고한 케이지가 요구된다. 이러한 케이지는 피에조전자 트랜지스터 동작 과정에서 일어나는 반복적인 기계적 압력을 견뎌야 한다. 이러한 반복적인 압력은 사소한 결함이나 접촉 능력이 떨어지는 경계면에서 파괴의 시발점으로 작용할 수 있다. 

단일 소자로 작동 가능한 피에조전자 트렌지스터는 피에조전기 액추에이터에 가해지는 전기장과 피에조저항 컨덕턴스 사이의 변조를 보여준다. 이러한 프로토타입은 현재 주로 사용되고 있는 실리콘 기반의 기술에 바탕을 둔 소자의 성능을 크게 넘어설 수 있다는 것을 보여주고 있다. 이번 연구결과는 피에조전자 트랜지스터의 개발에 대한 중요한 영감을 제시하고 있다. 이번 연구결과는 저널 Nanotechnology에 "First realization of the piezoelectronic stress-based transduction device"라는 제목으로 소개되었다. (Volume 26, Number 37) 

그림. 피에조전자 트랜지스터 소자의 개략도 및 전자현미경 사진 
출처 KISTI 미리안 글로벌동향브리핑

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